FinFET
Transistor hiệu ứng trường vây, ký hiệu theo tiếng Anh là FinFET (fin field-effect transistor) là linh kiện MOSFET nhiều cổng (multigate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) được xây dựng trên một bề mặt nơi cực cửa (gate) được đặt trên hai, ba hoặc bốn mặt của kênh dẫn, hoặc quấn quanh kênh, tạo thành cấu trúc cổng đôi. Linh kiện này được đặt tên chung là "vây bắt" vì vùng cực nguồn (source)/cực máng (drain) tạo thành các vây trên bề mặt silicon. FinFET có thời gian chuyển mạch nhanh hơn đáng kể và mật độ dòng điện cao hơn so với công nghệ planar CMOS (công nghệ kim loại-oxit-bán dẫn bù, complementary metal-oxide-semiconductor).[1]
FinFET là một loại transistor không phẳng (non-planar), hoặc transistor "3D".[2] Nó là cơ sở để chế tạo linh kiện điện tử nano hiện đại. Các vi mạch sử dụng cổng FinFET lần đầu tiên được thương mại hóa vào nửa đầu những năm 2010 và trở thành thiết kế cổng thống trị trong các nút chế tạo thiết bị bán dẫn ở các quy trình 14 nm, 10 nm và 7 nm.[3]
Tham khảo[sửa | sửa mã nguồn]
- ^ Colinge, J.P. (2008). FinFETs and Other Multi-Gate Transistors. Springer Science & Business Media. tr. 11 & 39. ISBN 9780387717517.
- ^ “What is Finfet?”. Computer Hope. 26 tháng 4 năm 2017. Truy cập ngày 25 tháng 8 năm 2020.
- ^ Sekigawa, Toshihiro; Hayashi, Yutaka (tháng 8 năm 1984). “Calculated threshold-voltage characteristics of an XMOS transistor having an additional bottom gate”. Solid-State Electronics. 27 (8): 827–828. Bibcode:1984SSEle..27..827S. doi:10.1016/0038-1101(84)90036-4. ISSN 0038-1101.
Liên kết ngoài[sửa | sửa mã nguồn]
 | Wikimedia Commons có thêm hình ảnh và phương tiện truyền tải về FinFET. |
- PBS The Field Effect Transistor
- CMOS gate circuitry
- Field Effect Transistors in Theory and Practice Lưu trữ 2012-03-02 tại Wayback Machine
Bài viết điện tử học này vẫn còn sơ khai. Bạn có thể giúp Wikipedia mở rộng nội dung để bài được hoàn chỉnh hơn.
